Single mask level forming both top-side-contact and isolation trenches

WO2018226718 Art A1 13. Dezember 2018

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018226718
Aktenzeichen: EP18813338
Anmeldetag: 5. Juni 2018
Veröffentlichung: 13. Dezember 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/02H01L21/82

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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