Epitaxial wafer production method

WO2018230301 Art A1 20. Dezember 2018

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018230301
Aktenzeichen: EP18818223
Anmeldetag: 25. Mai 2018
Veröffentlichung: 20. Dezember 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/44C30B25/18C30B29/06H01L21/322

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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