Pattern forming method and composition for forming silicon-containing film for euv lithography

WO2018230671 Art A1 20. Dezember 2018

Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018230671
Aktenzeichen: EP18818154
Anmeldetag: 14. Juni 2018
Veröffentlichung: 20. Dezember 2018
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11C08G77/50C08G77/60G03F7/20G03F7/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik

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