Method of facilitating straining of a semiconductor element for semiconductor fabrication, semiconductor platform obtained by the method, and optoelectronic device comprising the semiconductor platform

WO2018231149 Art A1 20. Dezember 2018

Anmelder: Nanyang Technological University, Massachusetts Institute of Technology 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018231149
Aktenzeichen: EP18818656
Anmeldetag: 8. Juni 2018
Veröffentlichung: 20. Dezember 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/18H01L31/028

Offizieller Volltext

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Anmelder

Firmen: Nanyang Technological University
Massachusetts Institute of Technology
Land: 🇸🇬 Singapur

🇸🇬 Nanyang Technological University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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