Thin film ferroelectric materials and methods of fabrication thereof
WO2018231210
Art A1
20. Dezember 2018
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018231210
- Aktenzeichen
- EP17913674
- Anmeldetag
- 14. Juni 2017
- Veröffentlichung
- 20. Dezember 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L45/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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