Hyperdoped germanium-based photodiodes with sub-bandgap photoresponse at room temperature

WO2018231330 Art A1 20. Dezember 2018

Anmelder: President and Fellows of Harvard College 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018231330
Aktenzeichen: EP18779831
Anmeldetag: 5. April 2018
Veröffentlichung: 20. Dezember 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/103H01L31/0216H01L31/0288

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: President and Fellows of Harvard College
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Harvard University

US-amerikanische Elite-Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts. Harvard betreibt Forschung und Patentierung in zahlreichen Feldern, insbesondere Biotechnologie, Medizin, Life Sciences und Materialwissenschaften.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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