Method for reducing reactive ion etch lag in low k dielectric etching

WO2018231732 Art A1 20. Dezember 2018

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018231732
Aktenzeichen: EP18817869
Anmeldetag: 11. Juni 2018
Veröffentlichung: 20. Dezember 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/027H01L21/311H01L21/3213

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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