Nitride semiconductor epitaxial substrate and semiconductor device

WO2018234873 Art A1 27. Dezember 2018

Anmelder: Sciocs Company Limited, Sumitomo Chemical Company, Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018234873
Aktenzeichen: EP18819831
Anmeldetag: 8. August 2018
Veröffentlichung: 27. Dezember 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/338H01L21/205H01L29/778H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sciocs Company Limited
Sumitomo Chemical Company, Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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