Semiconductor device manufacturing method and wafer-attached structure
WO2018235843
Art A1
27. Dezember 2018
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018235843
- Aktenzeichen
- EP18819661
- Anmeldetag
- 19. Juni 2018
- Veröffentlichung
- 27. Dezember 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/304B23K26/53B28D5/04H01L21/02H01L21/683
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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