Embedded non-volatile memory based on ferroelectric field effect transistors

WO2018236353 Art A1 27. Dezember 2018

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018236353
Aktenzeichen: EP17914158
Anmeldetag: 20. Juni 2017
Veröffentlichung: 27. Dezember 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/66H01L29/51H01L27/11585H01L27/11539

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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