Metal spacer-based approaches for conductive interconnect and via fabrication and structures resulting therefrom

WO2018236354 Art A1 27. Dezember 2018

Anmelder: INTEL Corporation, Lin, Kevin, Schenker, Richard E., Bristol, Robert L., Kabir, Nafees A., Vreeland, Richard F. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018236354
Aktenzeichen: EP17914390
Anmeldetag: 20. Juni 2017
Veröffentlichung: 27. Dezember 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: INTEL Corporation
Lin, Kevin
Schenker, Richard E.
Bristol, Robert L.
Kabir, Nafees A.
Vreeland, Richard F.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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