Thin Film Transistors Having Relatively Increased Width
WO2018236357
Art A1
27. Dezember 2018
Anmelder: INTEL Corporation, Majhi, Prashant, Doyle, Brian S., Sharma, Abhishek A., Karpov, Elijah V., Oguz, Kaan, O'Brien, Kevin P., Ahmed, Khaled 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018236357
- Aktenzeichen
- EP17914193
- Anmeldetag
- 20. Juni 2017
- Veröffentlichung
- 27. Dezember 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786H01L29/78H01L21/768H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- INTEL Corporation
Majhi, Prashant
Doyle, Brian S.
Sharma, Abhishek A.
Karpov, Elijah V.
Oguz, Kaan
O'Brien, Kevin P.
Ahmed, Khaled - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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