Double Patterning Enabled By Sputter Defined Ion Implant Features
WO2018236358
Art A1
27. Dezember 2018
Anmelder: INTEL Corporation, Lilak, Aaron D., Chandhok, Manish, Jahagirdar, Anant H. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018236358
- Aktenzeichen
- EP17915100
- Anmeldetag
- 20. Juni 2017
- Veröffentlichung
- 27. Dezember 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8234H01L29/78H01L21/768H01L21/265
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- INTEL Corporation
Lilak, Aaron D.
Chandhok, Manish
Jahagirdar, Anant H. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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