Ferroelectric Field Effect Transistors (fefets) Having Band-Engineered Interface Layer

WO2018236361 Art A1 27. Dezember 2018

Anmelder: INTEL Corporation, Majhi, Prashant, Doyle, Brian S., O'Brien, Kevin P., Sharma, Abhishek A., Karpov, Elijah V., Oguz, Kaan 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018236361
Aktenzeichen: EP17915163
Anmeldetag: 20. Juni 2017
Veröffentlichung: 27. Dezember 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/28H01L29/66H01L29/51

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: INTEL Corporation
Majhi, Prashant
Doyle, Brian S.
O'Brien, Kevin P.
Sharma, Abhishek A.
Karpov, Elijah V.
Oguz, Kaan
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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