High aspect ratio etch of oxide metal oxide metal stack

WO2018236614 Art A1 27. Dezember 2018

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018236614
Aktenzeichen: EP18819766
Anmeldetag: 11. Juni 2018
Veröffentlichung: 27. Dezember 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311H01L21/3213H01L21/3065H01L21/033

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von