Semiconductor device structures and fabrication methods thereof

WO2019001584 Art A1 3. Januar 2019

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2019001584
Aktenzeichen
EP18825025
Anmeldetag
30. Juni 2018
Veröffentlichung
3. Januar 2019
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/336H01L21/8242H01L29/78
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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