Semiconductor Laser Source

WO2019002763 Art A1 3. Januar 2019

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019002763
Aktenzeichen: EP18752534
Anmeldetag: 27. Juni 2018
Veröffentlichung: 3. Januar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01S5/10H01S5/14H01S3/08H01S3/081H01S3/083H01S5/02H01S5/026H01S5/06H01S5/323

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von