Semiconductor device, and manufacturing method for semiconductor device
WO2019003047
Art A1
3. Januar 2019
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019003047
- Aktenzeichen
- EP18824689
- Anmeldetag
- 19. Juni 2018
- Veröffentlichung
- 3. Januar 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786G11C11/405H01L21/336H01L21/8234H01L21/8242H01L27/06H01L27/088H01L27/108H01L27/1156H01L29/788H01L29/792H03K19/177
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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