Metal oxide nanocrystalline film fixation substrate, metal oxide nanocrystal production method, and production method for metal oxide nanocrystalline film fixation substrate
WO2019004372
Art A1
3. Januar 2019
Anmelder: National Institute Of Advanced Industrial Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019004372
- Aktenzeichen
- EP18824119
- Anmeldetag
- 28. Juni 2018
- Veröffentlichung
- 3. Januar 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C01G23/00C01G25/00H01L41/187H01L41/317
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute Of Advanced Industrial Science
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
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