Cross-Point Ferroelectric Memory Array

WO2019005019 Art A1 3. Januar 2019

Anmelder: INTEL Corporation, Karpov, Elijah V., Majhi, Prashant, Doyle, Brian S. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019005019
Aktenzeichen: EP17916310
Anmeldetag: 27. Juni 2017
Veröffentlichung: 3. Januar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/22H01L27/11502

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: INTEL Corporation
Karpov, Elijah V.
Majhi, Prashant
Doyle, Brian S.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

8.816 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von