Group iii-nitride transistor structure with embedded diode

WO2019005081 Art A1 3. Januar 2019

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019005081
Aktenzeichen: EP17915741
Anmeldetag: 29. Juni 2017
Veröffentlichung: 3. Januar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/02H01L29/43H01L29/66H01L29/423H01L29/417

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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