Suppression Of Current Leakage in N-Type Finfet Devices

WO2019005087 Art A1 3. Januar 2019

Anmelder: Intel IP Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2019005087
Aktenzeichen
EP17916130
Anmeldetag
30. Juni 2017
Veröffentlichung
3. Januar 2019
Rechtsraum
WO
IPC
H01L27/092H01L29/78H01L29/66
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Intel IP Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

8.816 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen