Diverse Transistor Channel Materials Enabled By Thin, Inverse-Graded, Germanium-Based Layer

WO2019005111 Art A1 3. Januar 2019

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019005111
Aktenzeichen: EP17916037
Anmeldetag: 30. Juni 2017
Veröffentlichung: 3. Januar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/66H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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