Usage Of Trench Contact in Read Only Memory Programming
WO2019005135
Art A1
3. Januar 2019
Anmelder: INTEL Corporation, Laryea, John A., Kanevsky, Dmitri Dimak, Li, Kenny K., Karl, Eric A., Wang, Xiaofei 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019005135
- Aktenzeichen
- EP17915858
- Anmeldetag
- 30. Juni 2017
- Veröffentlichung
- 3. Januar 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/112H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- INTEL Corporation
Laryea, John A.
Kanevsky, Dmitri Dimak
Li, Kenny K.
Karl, Eric A.
Wang, Xiaofei - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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