Spin orbit torque (sot) memory devices with enhanced switching capability and their methods of fabrication
WO2019005156
Art A1
3. Januar 2019
Anmelder: INTEL Corporation, O'Brien, Kevin P., Oguz, Kaan, Doyle, Brian S., Kuo, Charles C., Doczy, Mark L., Suri, Satyarth, Atanasov, Sarah 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019005156
- Aktenzeichen
- EP17915291
- Anmeldetag
- 30. Juni 2017
- Veröffentlichung
- 3. Januar 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L43/08H01L43/10H01L43/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- INTEL Corporation
O'Brien, Kevin P.
Oguz, Kaan
Doyle, Brian S.
Kuo, Charles C.
Doczy, Mark L.
Suri, Satyarth
Atanasov, Sarah - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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