Perpendicular spin transfer torque memory (psttm) devices with enhanced stability and high tunneling magnetoresistance ratio and methods to form the same

WO2019005157 Art A1 3. Januar 2019

Anmelder: INTEL Corporation, Wiegand, Christopher J., Rahman, Tofizur, Ouellette, Daniel G., Smith, Angeline K., Brockman, Justin S., O'Brien, Kevin P., Oguz, Kaan, Doczy, Mark L., Doyle, Brian S., Golonzka, Oleg, Alzate Vinasco, Juan G. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019005157
Aktenzeichen: EP17915333
Anmeldetag: 30. Juni 2017
Veröffentlichung: 3. Januar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L43/10H01L43/08H01L43/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: INTEL Corporation
Wiegand, Christopher J.
Rahman, Tofizur
Ouellette, Daniel G.
Smith, Angeline K.
Brockman, Justin S.
O'Brien, Kevin P.
Oguz, Kaan
Doczy, Mark L.
Doyle, Brian S.
Golonzka, Oleg
Alzate Vinasco, Juan G.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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