Spin orbit torque (sot) memory devices with enhanced thermal stability and methods to form same

WO2019005158 Art A1 3. Januar 2019

Anmelder: INTEL Corporation, Oguz, Kaan, O'Brien, Kevin P., Doyle, Brian S., Kuo, Charles C., Doczy, Mark L. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019005158
Aktenzeichen: EP17916355
Anmeldetag: 30. Juni 2017
Veröffentlichung: 3. Januar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/16H01L43/08H01L27/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: INTEL Corporation
Oguz, Kaan
O'Brien, Kevin P.
Doyle, Brian S.
Kuo, Charles C.
Doczy, Mark L.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

8.816 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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