Perpendicular spin transfer torque memory (psttm) devices with a non-stoichiometric tantalum nitride bottom electrode and methods to form the same

WO2019005160 Art A1 3. Januar 2019

Anmelder: INTEL Corporation, Ouellette, Daniel G., Wu, Stephen Y., Brockman, Justin S., Wiegand, Christopher J., Golonzka, Oleg, Rahman, Tofizur, Smith, Angeline K., Doyle, Brian S., Alzate Vinasco, Juan G., O'Brien, Kevin P., Oguz, Kaan, Doczy, Mark L. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019005160
Aktenzeichen: EP17915371
Anmeldetag: 30. Juni 2017
Veröffentlichung: 3. Januar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L43/10H01L43/08H01L43/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: INTEL Corporation
Ouellette, Daniel G.
Wu, Stephen Y.
Brockman, Justin S.
Wiegand, Christopher J.
Golonzka, Oleg
Rahman, Tofizur
Smith, Angeline K.
Doyle, Brian S.
Alzate Vinasco, Juan G.
O'Brien, Kevin P.
Oguz, Kaan
Doczy, Mark L.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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