Volatile filamentary oxide for a magnetic tunnel junction (mtj) memory device and methods to form the same

WO2019005162 Art A1 3. Januar 2019

Anmelder: INTEL Corporation, Majhi, Prashant, Karpov, Elijah V., Doyle, Brian S., Oguz, Kaan, O'Brien, Kevin P., Sharma, Abhishek A. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019005162
Aktenzeichen: EP17916212
Anmeldetag: 30. Juni 2017
Veröffentlichung: 3. Januar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L43/10H01L43/02H01L43/08H01L43/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: INTEL Corporation
Majhi, Prashant
Karpov, Elijah V.
Doyle, Brian S.
Oguz, Kaan
O'Brien, Kevin P.
Sharma, Abhishek A.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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