Perpendicular spin transfer torque memory (psttm) devices with enhanced stability and low damping and methods to form the same

WO2019005164 Art A1 3. Januar 2019

Anmelder: INTEL Corporation, Oguz, Kaan, O'Brien, Kevin P., Kuo, Charles C., Doyle, Brian S., Doczy, Mark L., Wiegand, Christopher J., Rahman, Tofizur, Ouellette, Daniel G., Brockman, Justin S., Ghani, Tahir, Golonzka, Oleg 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019005164
Aktenzeichen: EP17915215
Anmeldetag: 30. Juni 2017
Veröffentlichung: 3. Januar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L43/10H01L43/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: INTEL Corporation
Oguz, Kaan
O'Brien, Kevin P.
Kuo, Charles C.
Doyle, Brian S.
Doczy, Mark L.
Wiegand, Christopher J.
Rahman, Tofizur
Ouellette, Daniel G.
Brockman, Justin S.
Ghani, Tahir
Golonzka, Oleg
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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