Dual bottom electrode for memory applications and methods to form the same

WO2019005167 Art A1 3. Januar 2019

Anmelder: INTEL Corporation, Strutt, Nathan, Wu, Stephen Y., Asuri, Namrata S., Glassman, Timothy E., Golonzka, Oleg, Mukherjee, Niloy, Seghete, Dragos, Wiegand, Christopher J. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019005167
Aktenzeichen: EP17915998
Anmeldetag: 30. Juni 2017
Veröffentlichung: 3. Januar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: INTEL Corporation
Strutt, Nathan
Wu, Stephen Y.
Asuri, Namrata S.
Glassman, Timothy E.
Golonzka, Oleg
Mukherjee, Niloy
Seghete, Dragos
Wiegand, Christopher J.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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