Reduced area spin orbit torque (sot) memory devices and their methods of fabrication

WO2019005172 Art A1 3. Januar 2019

Anmelder: INTEL Corporation, Doyle, Brian S., O'Brien, Kevin P., Oguz, Kaan, Majhi, Prashant, Sharma, Abhishek A., Karpov, Elijah V. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019005172
Aktenzeichen: EP17915477
Anmeldetag: 30. Juni 2017
Veröffentlichung: 3. Januar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L43/08H01L43/02H01L43/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: INTEL Corporation
Doyle, Brian S.
O'Brien, Kevin P.
Oguz, Kaan
Majhi, Prashant
Sharma, Abhishek A.
Karpov, Elijah V.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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