Magnetoelectric spin orbit logic with a semi insulating magnet forming a semi insulating spin injection layer
WO2019005177
Art A1
3. Januar 2019
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019005177
- Aktenzeichen
- EP17916039
- Anmeldetag
- 30. Juni 2017
- Veröffentlichung
- 3. Januar 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L43/02H01L43/10H01L43/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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