Three-dimensional memory device containing hydrogen diffusion barrier layer for cmos under array architecture and method of making thereof

WO2019005220 Art A1 3. Januar 2019

Anmelder: SanDisk Technologies LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019005220
Aktenzeichen: EP18710973
Anmeldetag: 28. Februar 2018
Veröffentlichung: 3. Januar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11565H01L27/1157H01L27/11573H01L27/11575H01L27/11582

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SanDisk Technologies LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

1.388 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von