Three-dimensional memory device having direct source contact and metal oxide blocking dielectric and method of making thereof

WO2019005221 Art A1 3. Januar 2019

Anmelder: SanDisk Technologies LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019005221
Aktenzeichen: EP18710975
Anmeldetag: 28. Februar 2018
Veröffentlichung: 3. Januar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/1157H01L27/11582H01L21/311

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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