High electron mobility transistor (hemt) with resurf junction

WO2019008603 Art A1 10. Januar 2019

Anmelder: Indian Institute Of Science 🇮🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019008603
Aktenzeichen: EP18828816
Anmeldetag: 6. Juli 2018
Veröffentlichung: 10. Januar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/772H01L29/15

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Indian Institute Of Science
Land: 🇮🇳 Indien

🇮🇳 Indian Institute of Science

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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