Single crystal substrate, method for producing single crystal substrate, and silicon carbide substrate

WO2019009182 Art A1 10. Januar 2019

Anmelder: Seiko Epson Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019009182
Aktenzeichen: EP18828544
Anmeldetag: 28. Juni 2018
Veröffentlichung: 10. Januar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C23C16/42C30B25/18C30B29/04C30B29/06H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Seiko Epson Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Epson

Japanisches Unternehmen, das Drucker, Scanner, Projektoren sowie Uhrwerke und Sensortechnik entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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