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WO2019009232
Art A1
10. Januar 2019
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019009232
- Aktenzeichen
- EP18828749
- Anmeldetag
- 2. Juli 2018
- Veröffentlichung
- 10. Januar 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G05F1/56B60Q1/04B60Q1/34H01L33/00H05B37/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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