Self-Aligned Back-Gate Top-Contact Thin-Film Transistor
WO2019009872
Art A1
10. Januar 2019
Anmelder: INTEL Corporation, Lin, Kevin, Le, Van, Sharma, Abhishek 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019009872
- Aktenzeichen
- EP17916862
- Anmeldetag
- 1. Juli 2017
- Veröffentlichung
- 10. Januar 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786H01L29/40H01L21/033
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- INTEL Corporation
Lin, Kevin
Le, Van
Sharma, Abhishek - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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