Method for manufacturing semiconductor device

WO2019012875 Art A1 17. Januar 2019

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019012875
Aktenzeichen: EP18831001
Anmeldetag: 7. Juni 2018
Veröffentlichung: 17. Januar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/265H01L21/329H01L29/739H01L29/78H01L29/861H01L29/868

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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