Composition for forming resist underlayer film, resist underlayer film, method for forming resist pattern and method for producing semiconductor device

WO2019013293 Art A1 17. Januar 2019

Anmelder: Nissan Chemical Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019013293
Aktenzeichen: EP18832271
Anmeldetag: 12. Juli 2018
Veröffentlichung: 17. Januar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11C08G8/20G03F7/20G03F7/26H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nissan Chemical Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissan Chemical Corporation

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik

Vertreten von