A method of texturing photovoltaic silicon wafers
WO2019013706
Art A1
17. Januar 2019
Anmelder: National University of Singapore 🇸🇬
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019013706
- Aktenzeichen
- EP18831182
- Anmeldetag
- 11. Juli 2018
- Veröffentlichung
- 17. Januar 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C09K13/08C30B33/10H01L21/02H01L31/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National University of Singapore
- Land
- 🇸🇬 Singapur
🇸🇬
National University of Singapore
Staatliche Universität in Singapur, eine der größten und international bestbewerteten Hochschulen Asiens. Sie ist in Forschung und Lehre breit aufgestellt, mit starken Ingenieur- und Naturwissenschaftsfakultäten.
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