Fin Field Effect Transistor

WO2019014957 Art A1 24. Januar 2019

Anmelder: Hong Kong Applied Science And Technology Research 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019014957
Aktenzeichen: EP17918350
Anmeldetag: 26. Juli 2017
Veröffentlichung: 24. Januar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/088H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hong Kong Applied Science And Technology Research
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute

Das Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute (ASTRI) ist eine anwendungsorientierte Forschungseinrichtung in Hongkong. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Software und Nachrichtentechnik sowie Halbleitertechnik, ergänzt durch Messtechnik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2007 bis 2024.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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