Semiconductor production method and wafer inspection method

WO2019017120 Art A1 24. Januar 2019

Anmelder: Hamamatsu Photonics K.K. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019017120
Aktenzeichen: EP18834770
Anmeldetag: 13. Juni 2018
Veröffentlichung: 24. Januar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/66G01R31/28H01L21/301

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Hamamatsu Photonics K.K.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hamamatsu Photonics

Japanisches Unternehmen für Photonik mit Sitz in Hamamatsu, spezialisiert auf Photodetektoren, Bildsensoren, Laser und optische Messtechnik für Wissenschaft und Industrie.

1.968 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von