Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

WO2019018194 Art A1 24. Januar 2019

Anmelder: Cypress Semiconductor Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019018194
Aktenzeichen: EP18834398
Anmeldetag: 12. Juli 2018
Veröffentlichung: 24. Januar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11573H01L27/11568H01L29/66H01L21/265H01L21/28H01L21/285H01L29/45H01L29/49H01L29/78H01L27/11521H01L27/11546

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Cypress Semiconductor Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Cypress Semiconductor

Cypress Semiconductor war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der 2020 von Infineon Technologies übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Software und Datenverarbeitung sowie Halbleiter und Nachrichtentechnik, ergänzt durch Datenspeicherung. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2024.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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