Hybrid memristor/field-effect transistor memory cell and its information encoding scheme
WO2019019920
Art A1
31. Januar 2019
Anmelder: The Hong Kong University of Science and Technology 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019019920
- Aktenzeichen
- EP18837958
- Anmeldetag
- 11. Juli 2018
- Veröffentlichung
- 31. Januar 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C11/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- The Hong Kong University of Science and Technology
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
The Hong Kong University of Science and Technology
The Hong Kong University of Science and Technology ist eine chinesische Universität mit breiter naturwissenschaftlicher und technischer Forschung. Das Patentportfolio verteilt sich auf Medizintechnik, organische Chemie und Halbleiterbauelemente, ergänzt um Farben, Messtechnik und Nachrichtentechnik. Anmeldungen laufen von 2002 bis in die Gegenwart.
346 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.