Bilayer selector for low voltage bipolar memory devices
WO2019022732
Art A1
31. Januar 2019
Anmelder: INTEL Corporation, Majhi, Prashant, Doyle, Brian S., Karpov, Elijah V., Sharma, Abhishek A., O'Brien, Kevin P., Oguz, Kaan 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019022732
- Aktenzeichen
- EP17919050
- Anmeldetag
- 26. Juli 2017
- Veröffentlichung
- 31. Januar 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C13/00H01L43/08H01L27/22
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- INTEL Corporation
Majhi, Prashant
Doyle, Brian S.
Karpov, Elijah V.
Sharma, Abhishek A.
O'Brien, Kevin P.
Oguz, Kaan - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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