Self-Aligned Memory Decks in Cross-Point Memory Arrays

WO2019023071 Art A1 31. Januar 2019

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019023071
Aktenzeichen: EP18838052
Anmeldetag: 20. Juli 2018
Veröffentlichung: 31. Januar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/00H01L25/065H01L23/31

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

5.073 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von