Semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

WO2019025893 Art A1 7. Februar 2019

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019025893
Aktenzeichen: EP18841545
Anmeldetag: 18. Juli 2018
Veröffentlichung: 7. Februar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/336H01L21/82H01L21/822H01L21/8242H01L27/04H01L27/10H01L27/108

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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