Integrated atomic layer passivation in tcp etch chamber and in-situ etch-alp method

WO2019027672 Art A1 7. Februar 2019

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019027672
Aktenzeichen: EP18841638
Anmeldetag: 17. Juli 2018
Veröffentlichung: 7. Februar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/311H01L21/3213H01L21/67H05H1/46C23C16/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von